自 2023 年推出 e 型 GaN FET 以来,Nexperia 一直是业内唯一一家同时提供共源共栅或 D 型和 e 型器件的供应商,为设计人员在设计过程中应对各种挑战提供了便利。Nexperia
最新推出的 GaN e 型 FET 产品组合包括新型 40V 双向低压器件(导通电阻 RDSon
Nexperia 的 GaN FET e-mode 技术具有卓越的开关性能,这归功于其极低的 QG 和 QOSS 值。
Nexperia宣布在其不断扩展的GaN e-mode FET产品组合中新增12款器件。最新版本旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压GaN e-mode FET面向多个市场,包括消费电子、工业、服务器/计算和电信领域,尤其侧重于高压、中低功率和低压、中低功率的应用场景。.
自 2023 年推出 e 型 GaN FET 以来,Nexperia 一直是业内唯一一家同时提供共源共栅或 D 型和 e 型器件的供应商,为设计人员在设计过程中应对各种挑战提供了便利。Nexperia
最新推出的 GaN e 型 FET 产品组合包括新型 40V 双向低压器件(导通电阻 RDSon
Nexperia 的 GaN FET e-mode 技术具有卓越的开关性能,这归功于其极低的 QG 和 QOSS 值。
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