NextPower 100V MOSFET 是 Nexperia 推出的新一代器件，推荐用于高效率、高可靠性的开关应用。其导通电阻 R<sub>DS(on) </sub> 降低了 50%，并具有强大的雪崩功率额定值，是电源、电信和工业设计的理想之选，尤其适用于 USB Type-C 充电器和适配器以及 48V DC-DC 适配器。这些器件具有极低的二极管损耗和低至 50 纳库仑 (nC) 的 Q<sub>RR </sub> 值，从而降低了反向恢复电流 (I<sub>RR</sub>)、峰值电压 (V<sub>peak</sub>) 和振铃，进一步优化了死区时间。
功率 MOSFET 产品经理 Mike Becker 评论道：“Qrr 是一个经常被忽视的参数，尽管它对设计的许多方面都有着显著的影响。低峰值电压意味着更低的电磁干扰 (EMI)，而优化的死区时间可以进一步提高效率，这正是 Nexperia 的目标。我们已经证明，低 Qrr 对这两个方面都有益处。”.
新款 NextPower 100V MOSFET 提供三种封装：TO220 和 I2PAK 直插式封装，以及广受好评的 LFPAK56 (SMT) 封装。所有封装型号的最高结温 (Tj) 175°C，完全符合 IPC9592 扩展温度范围要求，因此 NextPower 100V MOSFET 特别适用于电信和 IT 应用。
