这项成果是OpenLight与Tower Semiconductor合作，基于OpenLight的工艺设计套件（PDK）平台，经过一年多的专注设计和工艺优化后取得的。OpenLight的448G EAM技术取得了显著进展，实现了接近100 GHz的3 dB差分带宽和在2.0 V差分电压下超过3.5 dB的消光比（ER）。这些成果使得该器件能够在太比特数据速率下保持稳健的性能，同时兼顾能效和易制造性。这种高度集成的PIC解决方案不仅适用于模块和收发器应用，也适用于新兴的共封装光学器件（CPO）和近封装光学器件（NPO）领域，在这些领域，能效、散热性能和封装简易性至关重要。.
OpenLight 的 3.2T DR8 PIC 采用高带宽、低开启电压的 EAM 448G 技术，无需外部耦合的连续波 (CW) 激光光源，显著简化了封装要求。该 PIC 的有源元件与硅波导之间的耦合效率高达约 90%，同时 InP EAM 的开启电压仅为 2V，OpenLight 提供了一种极其节能的解决方案。在 3.2T 全功率运行时，该 PIC 在 80°C 下的功耗低于 2W，相当于约 0.63 pJ/bit，与上一代设计相比，热效率有了显著提升。.
基于此平台，OpenLight 推出了 3.2T DR8 PIC，它是在其 1.6T DR8 PIC 所用架构的扩展。这使得跨数据速率世代的设计方法保持一致且可扩展，并允许客户利用通用平台实现从 1.6T 到 3.2T 的快速无缝部署。PH18DA 平台中的所有有源组件，包括 3.2T DR8 PIC 中使用的组件，均已通过 Telcordia GR-468 标准的独立认证，为在高可靠性数据中心部署提供了额外的保障。.
“我们非常高兴能够通过与OpenLight的紧密合作，为客户提供3.2T解决方案，”Tower Semiconductor射频业务部副总裁兼总经理Ed Preisler博士表示。“展望未来，我们看到PH18DA技术的巨大潜力，通过将激光器、EAM和其他InP组件集成到我们的硅光子平台中，可以拓展我们的市场。” OpenLight首席执行官
Adam Carter博士表示：“配备448G EAM的3.2T DR8 PIC在功率效率、成本和生产时间方面具有显著优势。我们448G EAM的卓越性能为客户提供了一条直接可扩展的路径，可以从1.6T升级到3.2T，再到每通道400G，这不仅适用于DR8和FR4模块及收发器应用，也适用于新兴的CPO和NPO应用。”
这些平台改进也推动了OpenLight 1.6T DR8 PIC的持续发展，目前已推出224G EAM器件的beta样品，提供LRO和LPO两种版本。OpenLight已收到多家主要收发器制造商的订单，为其生产和认证项目提供支持，这反映出随着设计方案逐步走向量产，客户对该产品的接受度也在不断提高。.
3.2T DR8 平台的 Alpha 样品现已上市，晶圆可立即供应，集成 448G 调制器和驱动器（采用倒装芯片）的评估板预计将于 2026 年 3 月底推出。用于模块和收发器认证的 3.2T DR8 Beta 样品预计将于 2026 年第四季度推出。.
