Mouser Electronics 的 UF4C/SC SiC FET 为设计人员提供多种导通电阻和封装选项。这些 1200V SiC FET 的导通电阻 (RDS(on)) 范围从 23 mΩ 到 70 mΩ,并提供三端 TO-247-3L 或四端 TO-247-4L 封装。TO-247-4L 封装采用开尔文栅极,可提供超低栅极充电和出色的反向恢复特性,使设计人员能够切换感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。.
UF4C/SC 系列所有器件均可在 0 至 12 或 15 V 的标准栅极驱动电压下安全驱动,因此无需改变栅极驱动电压即可替代 IGBT、FET 或硅超结器件。UF4C/SC SiC FET 的其他显著特性包括:在 5 V 的真实阈值电压下仍能保持优异的阈值噪声容限、出色的反向恢复性能以及内置的 ESD 栅极保护钳位。.
