近年来，工业和消费领域对节能的需求日益增长，以实现可持续发展的社会。然而，尽管氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）有望显著促进器件小型化和能量转换效率的提升，但与硅基MOSFET相比，其栅极控制的复杂性要求使用专用的栅极驱动器。为此，罗姆公司利用核心模拟和功率技术，开发出将GaN HEMT和栅极驱动器集成到单个封装中的功率级集成电路，从而大大简化了组装过程。.

此外，BM3G0xxMUV-LB系列（BM3G015MUV-LB、 BM3G007MUV-LB）集成了旨在最大限度提升GaN HEMT性能的附加功能和外围组件，并配备了650V GaN HEMT——新一代功率器件。ROHM的宽驱动电压范围（2.5V至30V）使其几乎兼容所有主电源中的驱动IC，从而可以轻松替换现有的硅（超结）MOSFET。这使得组件尺寸和功率损耗分别降低了约99%和55%，在更小的封装尺寸下实现了更高的效率。

台达电子功率半导体应用开发中心总经理林艾萨克表示：
“氮化镓器件因其在设备小型化和节能方面的卓越贡献，正引起各行业的广泛关注。
罗姆的新产品利用其独创的模拟技术，实现了安全、高速的栅极驱动。这些产品将进一步推动氮化镓功率器件的应用，预计该市场将持续增长。”

产品范围：
宽驱动电压范围（2.5V 至 30V）、短传播延迟和快速启动时间，使其几乎可以与主电源中的任何驱动 IC 兼容。

应用示例：
针对各种应用中的主电源（AC-DC、功率因数校正 (PFC) 电路）进行了优化。
消费类应用：家用电器、交流适配器、个人电脑、电视、冰箱、空调。
工业类应用：服务器、办公设备。

在线销售信息。
分销商：DigiKey、Mouser 和 Farnell。
其他在线分销商将在产品和评估板到货后提供这些产品和评估板。
销售开始日期：2023 年 6 月。

评估板部件号：
BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003

EcoGaN™
是 ROHM 的全新 GaN 器件系列，它通过最大限度地发挥 GaN 的特性，在应用中实现更低的功耗、更小的外围组件和更简单的设计，从而有助于节能和小型化，减少所需的零件数量。

EcoGaN™ 是 ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。.