SCT3xxx xR 系列采用 4 引脚封装 (TO-247-4L)，可最大限度地提高开关性能，与传统的 3 引脚封装 (TO-247N) 相比，开关损耗最多可降低 35%。这有助于降低各种应用中的功耗。.
近年来，人工智能和物联网的普及推动了云服务需求的持续增长，进而带动了全球数据中心需求的激增。然而，对于这些数据中心使用的服务器而言，如何在提高容量和性能的同时降低功耗，是其面临的主要挑战之一。与此同时，由于碳化硅（SiC）器件相比传统硅器件在服务器电源转换电路中具有更低的损耗，因此正日益受到关注。此外，TO-247-4L封装相比传统封装能够降低开关损耗，预计将在服务器、基站和太阳能发电系统等高性能应用中得到广泛应用。.
2015年，ROHM成为首家成功量产沟槽栅SiC MOSFET的供应商，并持续引领行业产品研发。除了这些新型高效650V/1200V SiC MOSFET之外，我们还致力于开发创新器件，并提供解决方案，以帮助降低包括针对SiC器件优化的栅极驱动集成电路在内的各种器件的功耗。.
ROHM 还提出了便于应用评估的解决方案，包括 SiC MOSFET 评估板 P02SCT3040KR-EVK-001，该评估板配备了栅极驱动集成电路 (BM6101FV-C) 以及针对 SiC 器件单元优化的电源集成电路和分立元件。.
主要特性：
4引脚封装（TO-247-4L）可将开关损耗降低高达35%。
传统的3引脚封装（TO-247N）由于源极寄生电感造成的压降，会降低芯片的有效栅极电压，从而降低开关速度。采用4引脚TO-247-4L封装将驱动引脚和电源引脚分离，最大限度地减少了寄生电感的影响。这使得SiC MOSFET的开关速度得以最大化，与传统封装相比，总开关损耗（导通和关断损耗）最多可降低35%。
SCT3xxx
xR 系列是采用沟槽栅设计的 SiC MOSFET。该系列提供六款型号，击穿电压分别为 650V（三款）和 1200V（三款）。
（见表格）
应用领域包括
：UPS 系统、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电站、服务器机房和基站的电源供应等等。
评估板
(P02SCT3040KR-EVK-001) 配备了我们专为控制 SiC 器件而优化的栅极驱动 IC (BM6101FV-C)，以及多个电源 IC 和其他分立元件，方便应用评估和开发。该评估板兼容 TO-247-4L 和 TO-247N 封装，可在相同条件下评估两种封装。它可用于双脉冲测试，也可用于升压电路、两电平逆变器和同步整流降压电路中的元件评估。
