这些器件专为中高压电源转换应用而设计，包括电池充电器、光伏逆变器、服务器电源和储能系统。所有组件均经过晶圆级栅极氧化层磨损测试（超过 1400 V）和雪崩测试（高达 800 mJ，34 mΩ 模块为 330 mJ）。
所有模块均坚固耐用、易于组装，并配备绝缘背板和散热器直接安装座。它们的设计旨在提高性能和开关速度，同时最大限度地降低这些应用中的损耗。7.4 mΩ GCMX007C120S1-E1 型号将开关损耗降低至 4.66 mJ（导通损耗 3.72 mJ，关断损耗 0.94 mJ），并具有 593 nC 的内部二极管反向恢复电荷。
其结壳热阻范围从 7.4 mΩ MOSFET 模块的 0.23 °C/W 到 34 mΩ 模块的 0.70 °C/W。
SemiQ总裁Timothy Han博士表示：
“我们第三代1200V SiC MOSFET系列的扩展，标志着SemiQ在为高性能功率应用提供卓越碳化硅解决方案的使命中又迈出了重要一步。通过扩展我们的产品组合，提供更低电阻的选项以及坚固耐用、易于组装的SOT-227封装，我们能够帮助设计人员在各种功率和工业系统中实现更高的效率、更快的开关速度和更高的可靠性。”
