ROHM目前正在量产市场上首款沟槽式SiC MOSFET。与平面栅SiC MOSFET相比，ROHM新一代SiC MOSFET在整个温度范围内导通电阻降低了50%，相同尺寸芯片的输入电容降低了35%。其最佳性能源于低损耗与高速开关的结合。更高的开关频率使得电感器和电容器等外围元件的尺寸得以减小。因此，转换效率得以提升，从而有助于实现小型化、轻量化和更高的能源效率。采用TO-247封装的全新1200V SCT3080KL系列SiC MOSFET便是最好的例证。.
ROHM 还将提供基于第二代平面系列的 AECQ 认证 SiC MOSFET。.
第三代碳化硅肖特基二极管：
第三代碳化硅肖特基二极管在整个温度范围内实现了所有现有碳化硅肖特基二极管中最低的正向电压 (VF) 和反向漏电流 (IR)。它们还具有高过电流承受能力，使其成为电源应用的理想选择。除了最近发布的 650V/6A、8A 和 10A TO220AC 封装器件外，ROHM 还将为该系列新增 D2PAK 和 TO220FM 封装器件，提供 2A 和 4A 的低电流选项。
与硅基器件相比，碳化硅二极管具有极短的反向恢复时间，使其成为高速开关应用的理想选择。
总而言之，这些特性有助于提高器件设计的效率、功率密度和鲁棒性。
SiC
模块，包括用于转换器的斩波模块，集成了沟槽式SiC MOSFET和量产型SiC肖特基二极管。除了二合一模块外，还提供1200V/120A、180A和300A斩波模块，以满足市场需求。ROHM目前也在研发一种具有更低寄生电感的新型功率模块。
