凭借罗姆公司完整的供应链能力和先进的封装技术，SiC 半桥模块将大规模生产的沟槽式 SiC MOSFET 和 SiC SBD 集成到与之前模块相同的空间内。.

ROHM率先推出了搭载SiC MOSFET和SiC SBD的商用功率模块，并成功量产了业界首款采用专有结构的沟槽式MOSFET，确保了长期可靠性。这款新型模块采用先进的UMOS结构实现MOSFET，省去了JFET区域，最大限度地发挥了SiC的特性。它具有极低的漏源电阻和高速开关性能，并且由于集成的SiC SBD具有极低的正向电压和快速恢复性能，几乎没有恢复损耗Err。.

因此，采用第二代DMOS-SiC结构的开关模块比传统IGBT模块损耗降低77%，比平面SiC模块开关损耗降低42%。这不仅实现了高频运行，还有助于缩小冷却系统和外围元件的尺寸，进而为最终产品的节能和小型化铺平道路。.

新型SiC模块现已上市。.

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