与需要大型封装和至少 26-35 个微控制器 I/O 引脚连接的并行 RAM 不同，Microchip 的串行 SRAM 器件采用成本更低的 8 引脚封装，并使用高速 SPI/SQI 通信总线，仅需 4-6 个微控制器 I/O 引脚，从而简化了集成。这减少了对更昂贵、引脚数更多的微控制器的需求，并有助于最大限度地缩小电路板的整体尺寸。.
这些 2Mb 和 4Mb 串行 SRAM 器件克服了串行 SRAM 的主要缺点（并行 SRAM 速度更快）。它们通过将总线速度提高到 143MHz 并可选配四路 SPI 接口（每个时钟周期 4 位）来实现这一点，从而大大缩小了两种方案之间的速度差距。.
“串行SRAM是工程师们常用的解决方案，他们需要的RAM容量超过了微控制器的可用容量，但又希望降低成本并缩小电路板的整体尺寸，”Microchip内存产品业务部总监Jeff Leasure表示。“Microchip的2Mb和4Mb串行SRAM器件旨在用一种简单且经济高效的替代方案来取代昂贵的并行SRAM。”.
这些串行SRAM器件尺寸小、功耗低、性能高，具有无限的使用寿命和零写入时间，是连续数据传输、缓冲、数据记录、测量以及其他数学和数据处理应用的理想选择。这些器件的容量从64 Kbit到4 Mb不等，并支持SPI、SDI和SQI总线模式。访问Microchip的存储器产品页面，了解更多关于该公司存储器器件目录的信息。.
