StrongIRFET™ 20-30V 系列器件具有超低导通电阻 Rds(on)，适用于高性能计算和通信应用——《Convertronic Electronics》杂志—

细节: 类别：集成电路; 2014年4月4日

国际整流器公司扩展了其 StrongIRFET™ 系列产品线，新增了适用于高性能计算和通信应用的 20-30V 器件。该系列的旗舰产品是 IRL6283M 20V DirectFET®，其特点是具有超低的导通电阻 (Rds(on))。.

ir6990 小时-w IRL6283M 采用 30 mm² DirectFET® 中型封装，典型导通电阻 (Rds(on)) 仅为 500 µΩ，显著降低了导通损耗。这使其成为有源 O 型环和电子保险丝 (eFuse) 应用的理想选择。这款新型器件可在 3.3V、5V 或 12V 电源轨上工作，与市场上同等 30 mm² 封装尺寸的最佳 PQFN 器件相比，在 20A 电流下损耗降低了 15%，从而使设计人员能够在高电流应用中减少元件数量。

与整个 DirectFET® 系列一样，IRL6283M 支持顶部散热，以改善电气和热性能，并采用无缝引线连接，从而提高可靠性。此外，DirectFET® 封装符合所有 RoHS 要求，其完全无铅的材料列表非常适合长寿命设计。市场上其他高性能封装产品采用含铅半导体芯片连接，并符合 RoHS 7(a) 豁免规定，该豁免将于 2016 年到期。IR

的 StrongIRFET™ 系列还包括采用环保无铅封装的标准 PQFN 器件，其物料清单符合 RoHS 标准。