R系列大功率IGBT专为满足寒冷地区高可靠性应用的需求而开发，旨在提高逆变器的输出功率，同时保持其尺寸不变。
得益于其芯片级LPT架构，4.5 kV和6.5 kV大功率IGBT模块可确保低功耗和宽广的反向偏置安全工作区（RBSOA）。R系列大功率IGBT模块的阻断电压高达6.5 kV，是目前市场上功率最强大的模块之一。
R系列芯片技术具有以下优势：
- IGBT芯片：降低损耗，可控di/dt和dv/dt。-
二极管芯片：降低反向恢复电流Irr。-
提高安全工作区（SOA）的鲁棒性，具有正温度系数（PTC），便于并联连接。
新型IGBT芯片的电流密度为传统IGBT的94%，而二极管芯片的电流密度保持不变。在标称电流和125℃下，新型IGBT的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)比传统IGBT低30%。此外，峰值集电极电流（即二极管的Irr）降低了20%，因此，IGBT的导通能量Eon降低了10%。.
总而言之，新型IGBT在不牺牲鲁棒性的前提下，将VCE(sat)/Eoff权衡提升了25%。该新型二极管通过降低Irr来提高Eon，同时其软反向恢复特性确保了传统二极管设计的鲁棒性得以保持。此外，最高工作温度从125°C提升至150°C，最低存储温度从-40°C提升至-55°C。尽管工作温度有所提高，但即使在模块背板温度波动相同的情况下，新型模块仍能达到与传统H系列模块相同的使用寿命。与传统的4.5 kV和6.5 kV大功率IGBT模块不同，新型引线键合技术还提高了功率循环能力。.
三菱电机提供R系列大功率IGBT模块，标准封装规格为1200 A/4.5 kV单路（绝缘电压Vaisl = 6 kV），高绝缘封装规格为800 A/4.5 kV和1200 A/4.5 kV（绝缘电压Vaisl = 10.2 kV）。此外，还提供配备相应续流二极管的高绝缘封装双路模块。6.5 kV R系列的750 A/6.5 kV单路模块已完成研发并投入量产。.
三菱电机凭借其高压模块产品，荣获国际铁路行业标准（IRIS）认证，在业内树立了新的里程碑。2009年3月，三菱电机成为首家获此殊荣的日本企业。三菱电机位于福冈和熊本的功率器件工厂以及位于二条的Sun-A工厂的半导体元件研发、生产和测试设施均顺利通过了审核。这充分证明三菱电机能够为铁路行业提供高质量、经认证的产品和服务。IRIS是由欧洲铁路工业协会（UNIFE）为铁路供应商制定的质量标准，涵盖以下领域：项目管理（从概念和开发到售后服务、招标管理和变更管理）、可靠性和维护以及产品安全。.
作者：Prasad Bhalerao 博士，三菱电机欧洲半导体事业部高功率 IGBT 模块产品营销专家。.
