ASFET 是一种新型 MOSFET，专为特定设计场景而优化。通过专注于应用关键参数（有时甚至牺牲设计中其他次要参数），可以实现更高水平的性能。新型热插拔 ASFET 结合了 Nexperia 最新的硅技术和铜夹封装结构，显著增大了安全工作区 (SOA)，并最大限度地缩小了 PCB 占用空间。.
以往，MOSFET器件存在Spirito效应，即在高电压下由于热不稳定性导致安全工作区（SOA）性能迅速下降。Nexperia公司强大的增强型SOA技术消除了Spirito效应，与D2PAK封装的前代产品相比，在50V电压下SOA性能提升了166%。.
另一项重要进展是将 125°C SOA 规范纳入数据手册。Nexperia 产品营销国际总监 Mike Becker 表示：“传统上，SOA 规范仅规定在 25°C 下工作，这意味着设计人员必须降低器件在高温环境下的功耗。我们新型热交换 ASFET 包含 125°C SOA 规范，省去了这项耗时的工作，并证实了 Nexperia 器件即使在高温下也能保持卓越的性能。”
新型 PSMN4R2-80YSE (80 V, 4.2 mΩ) 和 PSMN4R8-100YSE (100 V, 4.8 mΩ) 热插拔 ASFET 采用符合 Power-SO8 标准的 LFPAK56E 封装。该封装独特的内部铜夹结构可提升散热和电气性能，同时大幅缩小封装尺寸。新型 LFPAK56E 产品尺寸仅为 5 mm x 6 mm x 1.1 mm，与上一代 D2PAK 封装相比，PCB 占用空间和器件高度分别降低了 80% 和 75%。此外，这些器件的最高结温为 175 °C，符合工业和电信应用领域的 IPC9592 标准。.
Becker补充道：“另一优势在于，在需要多个热插拔MOSFET并联的高功率应用中，电流分配性能得到提升，从而提高了可靠性并降低了系统成本。” Nexperia被公认为热插拔MOSFET领域的市场领导者。凭借这些最新的ASFET，我们再次树立了新的标杆。”
这些新型热交换 ASFET 是 Nexperia 在英国曼彻斯特新建的 8 英寸晶圆生产工厂生产的最新器件，产能已准备好接受批量订单。.
您也可以在9月21日至23日举行的Nexperia Power Live活动上亲眼目睹这项新技术的实际应用。
