SCH2080KE 是首款成功将 SiC 肖特基二极管 (SBD) 集成到单个封装中的 SiC 功率模块。其正向电压 (VF) 降低了 70% 或更多，从而降低了功率损耗并减少了元件数量。.
1200V逆变器和转换器中常用的SiIGBT会因尾电流或外部频率响应延迟（FRD）的恢复而产生开关功率损耗，因此需要一种能够在高频下低开关损耗工作的SiC功率模块。然而，传统的SiC功率模块存在诸多可靠性问题，包括二极管体导通导致的特性退化（例如导通电阻增大、正向电压升高和电阻退化）以及栅极氧化膜失效，使得大规模集成难以实现。.
ROHM 通过改进与晶体和器件结构缺陷相关的工艺，成功克服了这些问题，并将单位面积的导通电阻比传统产品降低了约 30%，从而提高了器件的小型化程度。.
ROHM 还利用其专利封装技术，成功地将之前需要外置的 SiC SBD 集成到同一封装中，从而最大限度地降低了之前 SiC 功率模块二极管本体中存在的正向电压问题。因此，与常用转换器中使用的 Si IGBT 相比，SCH2080KE 的工作功率损耗降低了 70% 或更多。这不仅降低了开关损耗，而且由于支持 50 kHz 以上的频率，还使其能够与更小的外围元件兼容。.
ROHM 还提供 SCT2080KE，这是一款不含内部 SiC SBD 的 SiC 功率模块。SCH20801KE 和 SCT2080KE 均可根据客户需求进行配置。.
