这些高功率密度模块的主要应用领域包括工业驱动和电机控制设备、可再生能源发电厂的功率逆变器以及电气化铁路基础设施所需的转换器/逆变器。
东芝新型SiC MOSFET模块性能优异的关键在于其专有的封装技术。这些模块采用的iXPLV（智能柔性低电压封装）基于先进的银烧结内部连接技术，可实现高工作效率。该封装支持高达175°C的沟道温度，并保证高达6000 VRMS的绝缘性能。导通和截止期间的开关损耗分别保持在250 mJ和240 mJ，而典型的寄生电感值仅为12 nH。
- 细节
- 类别： 集成电路
东芝 MG800FXF2YMS3 SiC MOSFET 模块
东芝电子欧洲有限公司（“东芝”）推出了一款紧凑型 MOSFET 模块，即新型 MG800FXF2YMS3，该模块集成了双通道 3300V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件，能够支持 800A 的电流。.
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