本产品专为多种电机驱动应用而设计。例如：用于电动自行车、电动滑板车和电动工具的 28V 转 48V 转换；高密度 DC-DC 转换器；太阳能优化器；以及用于充电器、适配器和电视电源的 12V 转 20V 同步整流。.
典型的导通电阻 RDS(on) x QGD 值（用于衡量硬开关应用中的功率损耗）比 80V 硅 MOSFET 低 10 倍。这使得 EPC2619 能够在不降低效率的情况下，实现比硅 MOSFET 高 10 倍的开关频率，从而获得最高的功率密度。因此，EPC2619 非常适合 24V 至 48V 的高频硬开关应用，例如降压、升降压和升压转换器。.
典型的 RDS(on) x QOSS 值（用于衡量软开关应用中的功率损耗）为 87 mΩ*nC，是 80V 硅 MOSFET 的两倍。这使得 EPC2619 非常适合软开关应用，例如基于 LLC 的 DCX DC-DC 转换器的全桥初级整流。.
开发板：
EPC90153 开发板是一款半桥开发板，集成了 EPC2619 GaN FET。其设计最大器件电压为 80 V，最大输出电流为 20 A。该开发板旨在简化电源系统设计人员的评估流程，从而加快产品上市速度。这款 50.8 mm x 50.8 mm（2 英寸 x 2 英寸）的开发板专为实现最佳开关性能而设计，并包含所有必要的关键组件，方便进行评估。
价格和供货情况
EPC2619 的价格为每件 1.90 美元，容量为 2.5 Ku。.
EPC90153 开发板的售价为每块 200.00 美元。.
有意用氮化镓 (GaN) 解决方案替换硅 MOSFET 的设计人员可以使用 EPC GaN 功率测试台交叉参考工具，根据其独特的运行条件查找推荐的替代产品。该交叉参考工具的网址为： https://epc-co.com/epc/design-support/part-cross-reference-search
