高阻断电压使功率工程师能够用新型SiC MOSFET替代传统的硅MOSFET，从而获得更高的效率、更简单的驱动电路和更低的散热，进而降低系统总成本。
新型SMD封装专为高压SiC MOSFET设计，占地面积小，并具有7mm的漏源漏极距离。这得益于半导体器件的小尺寸以及Wolfspeed™ SiC MOSFET平面技术的高阻断能力。新封装还包含一个连接到MOSFET源极的引脚，有助于降低栅极噪声并提供更纯净的信号。
“我们新型的1700V SiC MOSFET为反激式拓扑结构的功率电子工程师提供了显著的设计优势，”Wolfspeed功率MOSFET市场经理Edgar Ayerbe解释道。由于碳化硅的开关损耗极低，这些器件在半导体中可在更低的温度下工作。这使得客户无需额外的散热器即可将器件直接安装在PCB上。这降低了制造成本并提高了系统可靠性。最终，与使用传统硅器件相比，该器件能够实现更小、更轻、系统成本更低的电源。
这款新型1700V SiC MOSFET主要用于大功率逆变器中的辅助电源，例如太阳能逆变器、电机变频器、UPS设备、风力涡轮机电源转换器和牵引系统。这些系统通常需要将母线电压转换为低直流电压，以驱动系统逻辑、保护电路、显示器、电网接口和冷却风扇。此外，该器件还可用于三相电表电源或任何需要高阻断电压和低电容的转换器应用。
这款新型 17000V SiC MOSFET（型号为 C2M1000170J）具有超过 1800V 的雪崩耐受能力和 1Ω 的导通电阻。这些特性确保了其在反激式转换器电路中的可靠性能，包括在诸如大功率逆变器等高噪声电气环境中的应用。这款 1700V SiC MOSFET 只需在 200V 至 1000V 之间切换输入电压，即可简化反激式拓扑设计，从而降低驱动控制的复杂性，并减少或消除硅器件中所需的缓冲电容。
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