这些JFET额定电压为1200V，最大导通电阻为340 mΩ（典型导通电阻为270 mΩ），具有正温度系数，可在150°C下实现极快的并联开关，且无拖尾电流。主要应用包括光伏微型逆变器、开关电源和不间断电源系统、电机控制单元以及感应加热。.
- 细节
- 类别： 集成电路
具有最小开关损耗的SiC JFET
SemiSouth Laboratories, Inc. 是 一家领先的碳化硅 (SiC) 晶体管技术制造商，其产品适用于高功率、高效率、恶劣环境下的电源管理和转换应用。该公司推出了 SJDP120R340，这是一款 SiC 沟槽 JFET，与硅 MOSFET 相比，它能够实现更高的开关速度和更低的损耗。
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