首批采用 H-PSOF 封装技术的产品是 OptiMOS™ 40V T2 功率晶体管，其电流容量高达 300A，导通电阻 (RDS(on)) 低至 0.76 mW。
这些高性能功率电子元件可帮助汽车系统设计人员满足政府法规对最高汽车能效标准和降低整体排放的要求。为了达到这些标准，需要电流容量超过 200A、导通电阻 (RDS(on)) 低于 1 mW 的功率 MOSFET，以降低导通损耗并提高整体效率。此前，汽车市场上尚无满足这些要求的 MOSFET。
英飞凌推出的H-PSOF封装树立了新的行业标杆，可提供高达300A电流容量和0.76 mW导通电阻的40V功率MOSFET。此外，与这些应用中常用的标准D2PAK（A-263）封装相比，H-PSOF封装的平均尺寸和高度均有所降低。H-PSOF封装的尺寸缩小了约20%，高度几乎只有D2PAK的一半。.
H-PSOF封装将使汽车电子制造商能够更好地服务于高电流应用市场。这包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统（EPS）、有源交流发电机以及其他能够提高效率、降低排放的大负载应用。.
H-PSOF封装还具有组装和制造优势。其特殊设计确保良好的焊料润湿性，从而保证焊点的可靠性。此外，它还支持通常用于SMT生产线的自动光学检测（AOI）。
首款采用H-PSOF封装的产品是IPLU300N04S4-R7，它是英飞凌40V OptiMOS T2汽车功率晶体管系列的一员，该系列晶体管是能效、二氧化碳减排和电动驱动应用领域的标杆产品。采用H-PSOF封装的功率器件符合AEC-Q101标准。
