与上一代器件一样，新型 650V ICeGaN H2 晶体管的驱动方式与硅 MOSFET 类似，无需使用复杂低效的电路，而是采用市售的栅极驱动器。此外，ICeGaN H2 HEMT 的栅极损耗 (QG) 比硅器件低 10 倍，开关损耗 (QOSS) 低 5 倍，从而显著降低了高开关频率下的开关损耗，同时减小了尺寸和重量。最终实现了业界领先的效率，比目前用于开关电源 (SMPS) 应用的最佳硅 MOSFET 高出 2%。.
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官兼联合创始人： “CGD 凭借 H2 系列 ICeGaN 产品确立了其创新领导地位。弗吉尼亚理工大学的独立研究表明，ICeGaN 是业内最稳定的 GaN 器件，并且在易用性方面，其控制方式与标准硅 MOSFET 类似，从而消除了可能阻碍市场普及的学习曲线。GaN 的效率众所周知，而 ICeGaN 在整个负载范围内都表现出色。”
ICeGaN H2 系列采用创新的 NL3（空载和轻载）电路，该电路与 GaN 开关集成于芯片上，从而实现了创纪录的低功率损耗。先进的集成式 Miller 钳位结构同样集成于芯片上，无需负栅极电压，即可实现真正的零伏关断，并提升动态 RDS(ON) 性能。这些单芯片 e 模式（常关型）GaN HEMT 包含单片集成的接口和保护电路，从而实现了无与伦比的栅极可靠性和设计简洁性。此外，电流检测功能可降低功耗，并允许直接接地，从而优化散热和 EMI 性能。.
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官兼联合创始人： “CGD 已经克服了通常会阻碍新技术普及的所有挑战。此外，我们现在已准备好通过成熟的供应链，以 H2 系列 ICeGaN 晶体管服务于大众市场。”
