Vishay Intertechnology（由 RC Microelectrónica 在西班牙和葡萄牙经销）推出了其新的参考级 SiZF300DT，这是一款 30V 双路 MOSFET，采用“半桥”配置，将高侧沟槽 FET 和低侧 SkyFET 与恢复肖特基晶体管集成在一个紧凑的 3.3mm x 3.3mm 功率对封装中。.
这种新组件具有更高的功率密度，可以缩小尺寸并节省 PCB 空间，提高效率并提供更高的电流。.
由于其导通电阻极低，
因此非常适合用于设计电源、POL 或 DC/DC 转换器，例如电信、射频或 PC/服务器等应用。
特性
：• TrenchFET® 第四代功率 MOSFET。
• 集成肖特基电阻的 SkyFET® 低侧 MOSFET。
• 经过 100% Rg 和 UIS 测试。
• 半桥结构，封装尺寸为 3.3 mm x 3.3 mm。
• 材料分类：有关合规性定义，请访问 www.vishay.com/doc?99912
应用领域
• CPU电源
• PC/服务器外设
• POL/BUCK转换器
• DC/DC电信
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