近年来，由于碳化硅（SiC）具有节能优势，其在1200V应用中的使用日益增多，例如电动汽车和工业设备。随着功率密度的不断提高，系统电压也随之升高，因此对1700V产品的需求也日益增长。然而，如何满足所需的可靠性仍然是一大挑战，这也是为什么硅基IGBT仍然是1700V应用的首选。.
为此，ROHM 在保持其广受欢迎的 1200V 产品低损耗性能的同时，实现了 1700V 器件的高可靠性 
，并首次成功实现了基于 SiC 的 1700V 功率模块的商业化。BSM250D17P2E004 采用新型结构和包覆材料，有效防止介质击穿并抑制漏电流上升。因此，即使经过 1000 小时的高温高湿极化测试 (HV-H3TRB)，该器件仍能保持高可靠性，避免介质击穿。这确保了即使在严苛的温湿度环境下，也能提供高达 1700V 的阻断电压。
通过将 ROHM 久负盛名的 SiC 基 MOSFET 和肖特基势垒二极管集成到同一模块中，并优化内部结构，与同类其他 SiC 产品相比，导通电阻降低了 10%。这意味着在任何应用中都能实现更高的节能效果。.
未来，我们将继续扩大产品范围，以确保客户能够无故障使用，并通过提供评估板来提高市场需求，以便轻松测试和验证我们的 SiC 模块。.
主要特性
1. 在高温高湿环境下实现最高可靠性。
这款创新的 1700V 模块采用新型封装方法和包覆材料保护芯片，使我们成功实现了首款通过 HV-H3TRB 可靠性测试的 1700V SiC 模块的商业化。
例如，在高温高湿测试中，BSM250D17P2E004 展现出卓越的可靠性，即使在 85°C 和 85% 湿度下施加 1360V 电压超过 1000 小时，也未出现任何故障——这与传统的 IGBT 模块不同，后者通常由于介质击穿而在不到 1000 小时内失效。为了确保最高可靠性，ROHM 在 1700V 的最高阻断电压下，以不同的时间间隔测试了模块的漏电流。
2. 更高的导通电阻有助于提高节能效果。
同一模块中采用的碳化硅肖特基势垒二极管（来自 ROHM）和 MOSFET 的组合，与同类产品相比，可使导通电阻降低 10%，从而提高节能效果。
漏电流
术语
：指从功率器件隔离层逸出的少量电流。抑制漏电流可以防止器件损坏并降低能耗。
高湿度高温高压反向偏置测试 (HV-H3TRB)
此测试评估功率器件在高湿度高温环境下的耐久性。其设计目的是检测因电场和湿度导致绝缘漏电流增大而引起的介电击穿等故障。
