这种创新性的性能提升是通过公司自主研发的高压氮化镓开关技术实现的。.
InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP 和 InnoSwitch3-Pro 准谐振集成电路将初级电路、次级电路和反馈电路集成于单个表面贴装封装中。在这一新系列产品中，集成电路初级侧采用氮化镓 (GaN) 开关取代了传统的高压硅晶体管，从而降低了电流流过时的导通损耗，并显著降低了工作时的开关损耗。这大幅减少了能量损耗，因此，在节省空间的 InSOP-24D 封装中实现了更高的效率和功率输出。
这些新型集成电路面向反激式或高效率设计，例如用于移动设备、机顶盒、显示器、家用电器、网络产品和游戏设备的 USB-PD 和大电流充电器/适配器，可提供独立于外部元件的精确恒压/恒流/恒压 (CV/CC/CP) 输出，并可轻松连接到快速充电协议集成电路。 InnoSwitch3-CP 和 EP 型号支持硬件配置，而 InnoSwitch3-Pro 则集成了一个先进的数字接口，用于通过软件控制 CV 和 CC 设定点，但不包括驱动和安全模式选项。Power
Integrations 总裁兼首席执行官 Balu Balakrishnan 评论道：“氮化镓 (GaN) 是一项基础技术，与硅相比，它在效率和尺寸方面具有显著优势。我们预计在许多功率应用中，硅晶体管将迅速被氮化镓晶体管取代。自 18 个月前推出硅基版本以来，InnoSwitch3 一直是离线开关市场的技术领导者，而新的基于氮化镓的集成电路 (IC) 通过提升我们反激式产品的效率和功率处理能力，进一步巩固了我们的领先地位。”
Power Integrations 的新型 InnoSwitch3 IC 现已上市，10,000 片起订，单价为 4 美元。 Power Integrations 网站上提供了 5 款新的参考设计，描述了 60W 至 100W 的 USB-PD 充电器，以及自动化设计工具 PI Expert™ 和其他技术支持文档。
