这份最新的技术报告详细介绍了Power Integrations业界领先的1250V PowiGaN HEMT的性能优势，展示了其久经考验的现场可靠性，以及满足800VDC架构功率密度和效率（>98%）要求的能力。此外，该报告还表明，与同类650V堆叠式GaN FET和1200V SiC器件相比，单个1250V PowiGaN开关可提供更高的功率密度和效率。.
该技术报告还重点介绍了Power Integrations公司的InnoMux™2-EP集成电路，称其为800VDC数据中心辅助电源的独特解决方案。InnoMux-2器件中集成的1700V PowiGaN开关支持1000VDC的输入电压，其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中，可使12V系统的效率超过90.3%。.
“随着人工智能对功率需求的不断增长，采用 800V 直流输入可以简化机架设计，更有效地利用空间，并减少铜线用量，”Power Integrations 产品开发副总裁 Roland Saint-Pierre 表示。“鉴于机架功率需求的不断增长，我们认为 1250V 和 1700V PowiGaN 器件是主电源和辅助电源的理想选择，因为它们能够提供 800V 直流数据中心所需的效率、可靠性和功率密度。”.
Power Integrations 是唯一一家大规模生产 1250V 和 1700V 高压 GaN 开关的供应商，该公司于 2018 年推出了首款 GaN 集成电路，目前已有超过 1.75 亿个 GaN 开关应用于从快速充电器到数据中心和电动汽车等终端产品中。.
