近年来，各行各业对节能的日益重视，推动了对高效节能功率半导体的需求增长，尤其是在通用逆变器和制造设备等工业应用领域。大多数辅助电源（为电源电路、控制集成电路和各种配套系统提供驱动电压）都采用高击穿电压（超过1000V）的硅MOSFET。然而，这些高压MOSFET存在显著的导通损耗（通常会产生过多的热量），并且在表面积要求和外部元件数量方面也存在挑战，阻碍了系统小型化。为此，ROHM开发了低损耗的SiC MOSFET和控制集成电路，旨在最大限度地提高性能并有助于最终产品的微型化。.
SCT2H12NZ 可提供工业设备辅助电源所需的高击穿电压。与传统硅 MOSFET 相比，其导通损耗降低了 8 倍，从而提高了能源效率。此外，当与 ROHM 专为驱动 SiC MOSFET 而设计的 AC/DC 转换器控制 IC (BD7682FJ-LB) 配合使用时，性能可得到最大程度的提升，效率最高可提高 6%。这使得可以使用更小的外围元件，进一步实现小型化。.
主要特性
1. 针对工业设备辅助电源优化 与
工业设备辅助电源中使用的 1500V 硅 MOSFET 相比，SCT2H12NZ 具有更高的击穿电压 (1700V) 和低 8 倍的导通电阻 (1.15Ω)。此外，其紧凑的 TO-3PFM 封装保持了工业设备所需的爬电距离（沿绝缘材料表面测量的距离）。ROHM 还提供表面贴装版本 (TO268-2L)，可提供合适的爬电距离。
2. 与 ROHM 专用 IC 配合使用，效率显著提升。
将这款新型 SiC MOSFET 与 ROHM 专为 SiC MOSFET 驱动器设计的 AC/DC 转换器控制 IC (BD7682FJ-LB) 配合使用，可最大限度地提高性能，效率提升高达 6%。此外，发热量也会降低，从而减少散热措施，并允许使用更小的元件。
3. 使用 ROHM 的 SiC 器件评估板轻松进行评估。
作为一家综合性半导体制造商，ROHM 提供一系列针对各种 SiC 器件优化的集成电路。ROHM 还发布评估板和套件，方便用户立即进行评估和开发。除了 BD7682FJ-LB-EVK-402 之外，ROHM 还提供栅极驱动板，用于评估完整的 RoHM SiC 模块以及阻尼器模块。更多信息请访问 ROHM 的专属支持页面。
应用范围：
高压（400VAC）工业设备的辅助电源，例如工业自动化（机器人）、太阳能和工业逆变器以及制造/测试设备。
