新装置为重载应用提供低驱动阻力 (RDS(on))，包括动力转向 (EPS)、制动系统以及配备内燃机 (ICE) 和微型混合动力汽车的车辆中的其他高负载应用。.
该系列包含 22 款全新 40V N 沟道 MOSFET，已通过 AEC-Q101 认证，采用 Gen12.7 沟槽技术，并提供 D2Pak-7P、D2Pak、DPak、TO-262、IPAK 和 TO-220 封装，均具有超低导通电阻 (RDS(on))。其中，采用 D2Pak-7P 封装的 AUIRFS8409-7P 型号在 10 Vgs 电压下，最大导通电阻仅为 0.75 mΩ，额定电流高达 240 A。这些新型器件具有低导通损耗和出色的雪崩性能，从而提高了效率、功率密度和可靠性。凭借这些特性，许多采用这些新型 COOLiRFET™ 器件的应用能够在比使用更先进 MOSFET 更低的温度下运行。IR
致力于提升汽车行业的产品质量，力求实现零缺陷。这是通过动态和静态测试（作为零件平均测试的一部分）以及对所有组件进行100%晶圆级自动化目视检测来实现的。新器件已通过AEC-Q101认证，该认证要求在1000次温度循环测试后，导通电阻RDS(on)的变化不得超过20%。此外，它们环保且采用无铅材料，符合RoHS法规。
