这些器件提供 TOLT、TO-247 和 TOLL 封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制散热管理和电路板设计。
新型 TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS 器件采用强大的 SuperGaN® 平台，该平台是一种经过现场验证的常关型耗尽型 (d-mode) 架构，由 Transphorm 公司首创，该公司于 2024 年 6 月被瑞萨电子收购。
基于低损耗模式技术，这些器件相比硅、碳化硅 (SiC) 和其他氮化镓 (GaN) 产品具有更高的效率。它们通过降低栅极负载、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，最大限度地减少了功率损耗，同时实现了高达 4 V 的阈值电压——这是目前增强型 (e-mode) GaN 器件无法达到的。
新款 Gen IV Plus 产品采用比上一代 Gen IV 平台小 14% 的芯片制造，实现了 30 毫欧 (mΩ) 的更低导通电阻 (RDS(on))，导通电阻降低了 14%，导通电阻与输出电容比 (FOM) 提高了 20%。更小的芯片尺寸降低了系统成本和输出电容，从而提高了效率和功率密度。这些优势使 Gen IV Plus 器件成为对成本敏感、散热要求高的应用的理想选择，在这些应用中，高性能、高效率和小尺寸至关重要。它们与现有设计完全兼容，便于升级，同时保留现有的工程投资。
这些器件采用紧凑的 TOLT、TO-247 和 TOLL 封装，提供丰富的封装选择，可满足功率范围从 1 kW 到 10 kW 的电源系统（并联连接时功率更高）的热性能和设计优化需求。新型表面贴装封装在底部 (TOLL) 和顶部 (TOLT) 均设有导热路径，可降低封装温度，方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外，广泛使用的 TO-247 封装为客户提供更大的散热能力，以满足更高的功率处理需求。.
“GaN Gen IV Plus器件的发布标志着瑞萨电子自去年收购Transphorm以来首个重要的新产品里程碑，”瑞萨电子GaN事业部副总裁Primit Parikh表示，“未来的版本将结合经过现场验证的SuperGaN技术以及我们的控制器和驱动器，提供完整的电源解决方案。无论作为独立的FET使用，还是与瑞萨电子的控制器或驱动器集成到完整的系统解决方案设计中，这些器件都将为设计出功率密度更高、尺寸更小、效率更高且系统总成本更低的产品提供清晰的路径。”.
与之前的d模GaN产品一样，瑞萨电子的新型器件采用集成式低压硅MOSFET，这种独特的配置实现了常关型不间断运行，同时充分发挥了高压GaN的低损耗、高效率开关优势。由于输入级采用硅FET，SuperGaN FET可以使用现成的标准栅极驱动器轻松控制，而无需像e模GaN那样使用专用驱动器。这种兼容性简化了设计，降低了系统开发人员采用GaN技术的门槛。
受电动汽车、逆变器、人工智能数据中心服务器、可再生能源和工业电力转换等领域的需求驱动，基于GaN的开关器件正迅速发展成为下一代功率半导体的关键技术。与基于SiC和硅的半导体开关器件相比，它们具有更高的效率、更高的开关频率和更小的尺寸。
可用性TP65H030G4PRS 、 TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS型号现已上市，同时还提供 4.2 kW GaN PFC 图腾柱评估平台 ( RTDTTP4200W066A -KIT )。
