所有设备不仅提供优化的电源管理功能，而且采用创新紧凑的封装设计，满足各种应用的需求，例如大型电源、逆变器、工业设备、服务器等。.
精选
完整的1200V/300A SiC功率模块。
新型BSM300D12P2E001额定电流高达300A，尤其适用于工业设备大容量电源等高功率应用。此外，与传统IGBT模块相比，其开关损耗降低了77%，从而能够实现高频运行，并可采用更小的散热措施和外围元件。ROHM采用全新封装设计，最大限度地减少了开关过程中电压尖峰的影响。该模块采用独特的电场抑制结构和新型筛选方法，确保了其高可靠性，使其成为更高额定电流IGBT模块的理想替代品。这款新器件完善了现有的完整SiC功率模块产品线，包括1200V/120A（含MOSFET和SBD）和1200V/180A（仅MOSFET），这些产品已在工业和电力领域得到广泛应用。
IGBT-IPM（智能功率模块）
全新系列的智能功率模块（IPM）专为高效电机控制和逆变器应用而设计，包括针对低速或高速运行优化的IGBT模块，以及采用ROHM专利低导通超结MOSFET（PrestoMOS™）技术的MOSFET模块，所有模块均采用紧凑的HSDIP25封装。这为白色家电和工业电机开发商提供了高度可靠的解决方案和多种经济高效的设计选择。新器件显著降低了轻载和重载下的功率损耗，同时提高了功率容量。该系列产品包括10A、15A和20A 600V IGBT-IPM；30A版本正在开发中。
用于碳化硅MOSFET的AC/DC转换器控制IC：
BD7682FJ-LB可轻松实现碳化硅MOSFET在AC/DC转换器中的应用，克服了分立器件配置的挑战。它提供高度集成的解决方案，为节能和小型化树立了新的标准，同时支持碳化硅功率半导体的应用。与传统AC/DC转换器中使用的硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET可使AC/DC转换器的功率效率提高高达6%。此外，无需散热组件（例如50W外壳电源），从而实现了更高的紧凑性。BD7682FJ-LB规格还包含多种保护功能，可支持高达690Vac的高压，使其成为通用工业设备的理想选择，并提高了可靠性。
