ROHM Semiconductor 为所有这些应用提供种类丰富的 SiC MOSFET。但选择合适的 SiC MOSFET 还不够：您还需要使用相应的栅极驱动 IC。例如，BM61S40RFV-C 和 BM61S41RFV-C 可提供 3750 Vrms 的隔离电压、65 ns 的 I/O 延迟时间和 60 ns 的最小输入脉冲宽度。这些 IC 内置 Miller 钳位和欠压锁定 (UVLO) 等保护功能，适用于驱动所有 ROHM SiC MOSFET。此外，这些栅极驱动 IC 也可用于驱动传统的 Si MOSFET 和 Si IGBT。.
- 细节
- 类别： 集成电路
SiC MOSFET：用于工业和汽车应用的栅极驱动集成电路
WBG半导体不再是未来的东西：例如，SiC MOSFET有望在各种应用中展现优势，从汽车应用中的车载充电器和DC/DC转换器到光伏系统、不间断电源系统等工业应用。.
印刷杂志
社交网络
西班牙电子产品杂志。出版超过25年。.
西班牙 - 马德里 - 版权所有 © Convertronic 专业西班牙电子杂志。.