近年来，随着物联网设备数量的增加，对服务器系统的需求也日益增长，提高能源转换效率和缩小尺寸已成为重要的社会问题，需要电力设备领域取得新的进展。.
除了大规模生产业界领先的碳化硅器件和各种多功能硅器件外，罗姆还开发了在中压范围内具有卓越高频性能的氮化镓器件。通过开发提高栅源电压额定值的技术，罗姆能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。.
由于氮化镓器件相比硅器件具有更优异的开关特性和更低的导通电阻，因此有望降低基站和数据中心所用开关电源的功耗并进一步小型化。然而，一些缺点——例如较低的标称栅源电压和开关过程中超过最大容量的过冲电压——对器件的可靠性构成了重大挑战。.
为应对这些挑战，ROHM 通过一项原创设计，成功地将标称栅源电压从典型的 6V 提升至 8V。这提高了采用高效率 GaN 器件的电源电路的设计裕度和可靠性。除了通过降低寄生电感来最大限度地提高器件性能外，我们还在开发一种定制封装，该封装简化了组装流程，并具有出色的散热性能，从而可以轻松替换现有的硅器件，同时简化组装过程中的操作。.
未来，ROHM将加快基于该技术的GaN器件的研发，计划于2021年9月交付样品。
（图2+3）
应用示例
- 用于数据中心和基站的 48V 输入降压转换器电路
- 用于基站功率放大器模块的升压转换器电路
- D 类音频放大器
- 用于便携式设备的激光雷达驱动电路和无线充电电路
（图 4）
