除了提供更快的关断时间（最高可达 4 倍）外，通过减少物料清单 (BOM) 的数量，还可以简化设计。

用于控制汽车动力系统中电磁阀和执行器的基于 MOSFET 的功率方案通常基于脉冲、续流或有源钳位拓扑结构。第四种选择是重复雪崩设计，它利用 MOSFET 在关断期间重复处理感性负载电流的能力来耗散感性负载的能量。这些设计提供的效率与有源钳位方案相当，无需二极管和其他器件，从而最大限度地减少了元件数量和电路复杂性。它们还支持更快的关断时间，这有助于提高电磁阀和继电器等机电元件的可靠性。在此之前，只有使用过时的平面技术才能实现这一点。Nexperia Automotive 专为重复雪崩而开发的 ASFET 产品系列正是为了解决这一问题，可保证经测试的重复雪崩功能在高达 10 亿次循环中保持稳定。此外，与升压拓扑结构相比，由于最多可减少 15 个电路板元件，这些新型 MOSFET 可显著降低元件占用空间，从而简化设计，效率最高可达 30%。

这些新型 MOSFET 已通过 AEC-Q101 认证，可在 175°C 下正常工作，提供 40V 和 60V 两种电压选项，典型导通电阻 (RDS(ON)) 范围为 12.5 mΩ 至 55 mΩ。所有器件均采用公司节省空间的 LFPAK56D（双功率 SO8）铜夹封装技术。这种高度坚固的封装采用鸥翼式引线，可提高电路板级可靠性并改善可制造性，包括支持自动光学检测 (AOI)。

Nexperia产品经理Richard Ogden表示：“通常情况下，希望实现重复雪崩拓扑结构的工程师不得不依赖采用较旧平面半导体技术的器件。而我们提供的基于高性能硅结构的、符合汽车行业标准的、具有可靠重复雪崩能力的器件，将增加能够利用重复雪崩功能的动力总成设计数量。”

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