这些采用紧凑型 SOT-1118 (UDFN6) 封装的 MOSFET 具有出色的散热性能和极低的器件漏极导通电阻 [RDS(ON) = 25 mΩ (典型值) @ N 沟道，VGS = 4.5 V]。这些特性使其适用于各种移动设备（例如智能手机和平板电脑）中的电源管理开关和 DC-DC 转换器。SSM6L61NU 和 SSM6N61NU 也可用于电池管理应用以及采用 USB Type-C 接口的应用中的负载切换。
凭借业界领先的 25 mΩ [1] N 沟道导通电阻，这些新型 MOSFET 有助于降低电源中的功率损耗并延长电池供电设备的运行时间。SSM6L61NU 为互补器件，而 SSM6N61NU 为双 N 沟道器件。在 USB Type-C 应用中，SSM6L61NU 和 SSM6N61NU 可以置于电源管理 IC 的输出电压 (Vout) 和 SoC 之间，或电路中的其他位置。
其单封装设计尺寸仅为 2 mm x 2 mm，与采用 PS-8 封装的器件相比，可提高功耗比 (PD = 1 W) 并减少 50% 的 MOSFET 尺寸。
[1] 与 UDFN6 封装产品的 N-ch 相比，根据东芝进行的一项调查（截至 2015 年 11 月）。.
