得益于优化的封装设计，新型 TLP3475W 降低了寄生电容和电感，从而减少了 20 GHz（典型值）频率范围内的信号插入损耗。与现有的 TLP3475S 器件相比，性能提升了 1.5 倍。

驱动 LED 所需的电流 (IFT) 为

[缺失值]。新型 TLP3475W 采用 WSON4 封装，尺寸仅为 1.45 mm x 2.0 mm x 0.8 mm（典型值），是目前最小的光继电器之一。它比东芝的超紧凑型 S-VSON4T 封装小 40%，尤其适用于在单板上安装多个器件的多通道设计。

其工作温度范围为 -40°C 至 +110°C，适用于包括高速半导体测试在内的工业应用。

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