这一系列五款高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动 IC 可提供高达 +1.9 A/-2.3 A 的输出电源/消耗电流，实现快速导通和关断。同时，其大电流能力使这些新型器件能够高效控制更大功率应用中的大型开关。该系列包含两款半桥驱动器：AUIRS2184S，其死区时间固定为 500 ns；以及 AUIRS21844S，其死区时间可在 400 ns 至 5 µs 之间编程。AUIRS2181S、AUIRS21811S 和 AUIRS21814S 是用于高压侧和低压侧的双通道驱动 IC，具有不同的输入逻辑和传播延迟。.
这些集成电路采用专有的高压集成电路 (HVIC) 和抗保持 CMOS 技术，打造出单片式、坚固耐用的结构。输出驱动器配备高幅度脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。此外，这些器件在负电压尖峰抗扰度方面树立了新的市场标杆，即使在极端开关条件下或发生短路时也能确保可靠运行。该系列的其他关键特性包括双通道欠压阻断、兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑以及更低的 di/dt 值，从而提高了抗噪性能。部分型号中包含的独立接地和 Vss 逻辑信号引脚可增强对 COM 电压瞬态变化的抗扰度。.
