近年来，对更高效率和功率密度的需求推动了工业和消费应用中更高输入电压的采用，同时也要求 MOSFET 不仅具有低导通电阻，而且具有高非破坏性电压。.
MOSFET分为两种类型：N沟道和P沟道。N沟道MOSFET在高负载应用时通常效率更高，但其栅极电压需要高于输入电压，这会使电路配置变得复杂。而P沟道MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压驱动，从而显著简化电路配置并降低设计开销。.
在此背景下，ROHM 开发了低导通电阻的 -40V/-60V P沟道 MOSFET，兼容 24V 输入，并采用了先进的第五代工艺。基于 ROHM 成熟的 P 沟道 MOSFET 结构，这些新产品利用增强的工艺技术，实现了同类产品中最低的单位面积导通电阻。与传统产品相比，新型 -40V 产品的导通电阻降低了 62%，而新型 -60V 产品的导通电阻则降低了 52%。.
同时，通过优化器件结构并采用新的设计来降低电场集中度，从而提升器件质量。由此实现了高可靠性和低导通电阻（二者通常呈互补关系）。这些解决方案有助于满足工业设备对卓越品质要求，确保器件长期稳定运行。.
ROHM持续开发适用于各种应用的封装产品，包括针对汽车行业优化的产品。除了第五代P沟道MOSFET之外，我们还在开发更高效的N沟道MOSFET，以增强我们在5G基站和数据中心服务器领域的产品组合，满足不断增长的需求。这些产品有助于减轻应用的设计负担，并提高效率和可靠性。.
产品系列
供应情况：批量生产中
应用实例
——用于工业设备的能源管理开关和风扇电机，例如，在工厂自动化、机器人和空调系统中。——
用于大型消费设备的能源管理开关和风扇电机。
