ROHM半导体公司发布了其第三代650V IGBT系列技术。凭借其先进的设计和优异的特性，该技术是工业和家用电器应用中实现平稳高效开关的理想解决方案。.功率半导体器件，包括IGBT，因其在多种高压应用中的广泛应用而日益受到认可。这些器件有望在保持低损耗的同时，实现高效率和高可靠性。ROHM在其现有高电流IGBT和低饱和电压、高开关速度IGBT产品系列的基础上，推出了第三代高效IGBT。新器件采用更薄的晶圆结构、场衰减技术和专有的沟槽栅结构，可提供更优异的性能，并满足日益增长的高频开关需求。.
ROHM 的第三代 650V IGBT 采用先进的场衰减结构，在漂移区实现了更低的载流子浓度梯度，从而改善了载流子分布。这使得饱和电压得以降低，开关速度得以提升，与传统方案相比，在饱和电压和截止损耗之间实现了优异的平衡。.
ROHM 还采用了一种精密的沟槽栅极结构，可降低栅极负载和电容。优化的掺杂和单元结构，以及比第二代产品薄 15% 的晶圆，显著降低了器件的整体损耗。导通阶段较低的载流子浓度可降低截止损耗。此外，即使在较低的外部栅极电阻下，新型器件也能实现平滑的开关特性。测量结果表明，即使在更高的开关速度下，噪声水平仍然很低。与第二代产品相比，小型化和特性改进使饱和电压降低了 6%，截止开关损耗降低了 20%，从而提高了系统的整体性能。.
第三代 650V IGBT 产品系列，包括 RGTV 系列的 30/50/80A 型号和 RGW 系列的 30/40/50A 型号，提供两种封装（TO-247N 和 TO-3PFM）和两个优化系列。RGTV 系列专为需要高级短路保护的应用而设计，而 RGW 系列则特别适用于转换器，具有低栅极负载和电容以及极低的开关损耗。两个系列均集成了一个快速平滑的恢复二极管，以实现最佳效率。.
