罗姆半导体宣布已实现全碳化硅（SiC）功率元件组成的SiC功率模块（标称值1200V/100A）的量产，该模块可实现100kHz以上的高频运行。公司目前能够提供包括肖特基势垒二极管（SBD）和MOSFET在内的SiC器件，以及完整的SiC模块解决方案。得益于集团旗下SiCrystal AG的专业技术，罗姆半导体拥有完整的SiC半导体制造能力。
肖特基二极管 (
SBD) 是一种新型碳化硅二极管，具有低正向电压和快速反向恢复时间，从而提高了功率转换效率。与硅基快速恢复二极管的恢复时间 (trr) 随温度升高而增加不同，碳化硅器件在宽温度范围内保持稳定的特性，从而在实际应用中表现更佳。例如，10A SBD 在 25°C 时的正向电压 (VF) 为 1.5V，在 150°C 时为 1.6V。低 VF 可降低导通损耗，而超短反向恢复时间 (15 ns) 则有助于实现高速开关并最大限度地减少连接损耗。碳化硅二极管是 PFC/电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、空调等产品的理想选择。
MOSFET
在高效散热封装内实现了高耐压、低导通电阻和高开关速度，有助于器件小型化和降低功耗，从而提高效率。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极负载。该系列产品正在不断扩展和优化，以应用于下一代器件。
这使得它们成为各种应用的理想器件，例如用于能量转换的功率因数校正 (PFC) 电路、转换器和逆变器。MOSFET 也适用于功率转换器，例如电动汽车/高压汽车和工业设备中使用的转换器。.
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