与传统的 TO-263-3L 封装相比，其尺寸缩小了 20%，高度缩小了 45%。尺寸的缩小提高了功率密度，使其适用于非常紧凑的终端设计。优异的耐热性有助于更好的散热，从而确保器件的长期可靠性。.
为满足客户日益增长的高性能需求，捷捷微电子推出了JMSH1001ATL（VDS_MIN=100V）和JMSH1504ATL（VDS_MIN=150V）两款N沟道JSFET®系列器件，该系列器件拥有自主知识产权，并采用先进的PowerJE® 10x12封装。当VGS=10V时，JMSH1001ATL的典型导通电阻RDS(ON)_Typ和FOM分别为1.3mΩ/202和3.3mΩ/290。在电气性能方面，JMSH1001ATL在中国市场表现优异，并可与欧美、日本的同类产品相媲美。此外，其线性模型/安全工作区（SOA）特性使其即使在高电流条件下也能安全可靠地工作。极低的电阻有助于提高运行效率、降低系统成本并延长设备寿命。这两款产品均可广泛应用于电动工具、轻型电动汽车、光伏储能逆变器、5G和PoE++通信以及其他终端设备。.
捷捷微电子汽车事业部负责人张先生表示： “JMSH1001ATL采用捷捷微电子研发团队自主设计的芯片，在通过IATF 16949认证的工厂生产，并在捷捷微电子先进的汽车测试系统上经过PowerJE® 10x12组装测试。其电气性能可与国际领先的IDM半导体厂商的产品相媲美，有助于推动同类产品的高端国产化进程。该器件具有优异的导热性和低封装寄生电感，可承受高达411A的电流，是物料清单(BOM)空间、电气性能和器件长期可靠性要求严格的应用的理想之选。”
两款产品均已量产。样品可从JJM销售部、签约代理商或相关销售渠道获取。产品规格和辅助系统电路设计数据等信息，包括POD（封装原理图）、H-Spice和P-Spice仿真模型，可直接 从官方网站：POD（封装原理图）。
