这款新型封装在单个器件中提供半桥解决方案，与用于三相电机控制拓扑的双 MOSFET 相比，通过消除 PCB 走线，占用 30% 的 PCB 面积，同时还可在生产过程中轻松进行自动化光学检测 (AOI)。LFPAK56D 半桥采用现有的 LFPAK56D 大批量组装工艺，该工艺已在汽车行业中验证了其可靠性。该封装采用柔性导线以提高整体可靠性，MOSFET 之间的内部铜夹连接简化了 PCB 布局，并提供了即插即用的解决方案，具有高达 98 A 的电流处理能力。
通常，在半桥结构中，Hs（高侧）MOSFET 源极和 Ls（低侧）MOSFET 漏极之间的 PCB 连接会产生较大的寄生电感。然而，凭借其内部铜夹连接，LFPAK56D 半桥封装的电感降低了 60%。
新发布的 LFPAK56D 半桥 MOSFET 包括 BUK7V4R2-40H 和 BUK9V13-40H。这两款器件均采用坚固耐用的汽车级 Trench 9 硅工艺，额定电压为 40V，并在关键测试中通过了汽车级 AEC-Q101 规范两倍的验证。器件的导通电阻 (RDS(on)) 分别为 4.2 mΩ (BUK7V4R2) 和 13 mΩ (BUK9V13)。
符合 AEC-Q101 标准的 Nexperia LFPAK56D 半桥封装适用于各种三相汽车应用，包括水泵、燃油泵、电机控制和 DC/DC 电源转换。它占用的 PCB 面积减少了 30%，寄生电感降低了 60%，适用于高性能开关应用。这项新技术已获得领先汽车客户的认可和支持。

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