RGWxx65C系列IGBT反馈模块采用ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管，作为自由运行二极管，几乎没有恢复能量，从而最大限度地降低了二极管开关损耗。此外，由于IGBT在导通模式下无需处理恢复电流，因此IGBT的导通损耗也显著降低。这些综合效应使得RGWxx65C系列IGBT的损耗比传统IGBT降低高达67%，比超连接MOSFET（SJ MOSFET）降低高达24%（应用于车载充电器时）。这不仅提供了卓越的性价比，还有助于降低工业和汽车应用中的功耗。.
近年来，全球为减少环境影响、实现碳中和及脱碳社会所做的努力推动了电动汽车（xEV）的迅猛发展。与此同时，用于各种车辆逆变器和转换器电路的功率半导体也在不断多样化，这对于构建更高效的系统至关重要。这种多样化伴随着超低损耗碳化硅功率器件（例如碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管）以及传统硅功率器件（例如IGBT和超连接MOSFET）的技术创新。.
为了向各种应用提供有效的电源解决方案，ROHM 不仅专注于开发业界领先的 SiC 功率器件产品和技术，还专注于开发硅产品和集成控制器电路产品和技术。.
供货情况：2021年3月（样品），2021年12月（批量生产）
应用示例
车载充电器（车载充电器）
、车载直流/直流转换器、
太阳能逆变器（电源调节器）、
不间断电源（UPS）系统
混合型 IGBT 产品系列 [RGWxx65C 系列]
除了这些新型混合型 IGBT 外，我们还提供采用硅 FRD 作为自由流动二极管的产品，以及不采用自由流动二极管的产品。
在 ROHM 网站上，您还可以找到各种设计数据，包括仿真模型 (SPICE) 和驱动电路设计应用说明，这些都是集成和评估所必需的，有助于快速推向市场。
