与之前的 TO-3P (L) 封装相比,其宽度和长度仅为原来的四分之三,从而显著降低了空间占用。这为产品设计人员提供了更大的灵活性,同时保持了 150W 的封装功率 (Pc)。.

2SA1943N 晶体管的最大集电极-发射极电压比 (VCEO) 为 -230V,连续集电极电流比 (IC) 为 -15A,而 2SC5200N 的最大 VCEO 为 230V,IC 为 15A。.

2SA1943N晶体管的直流电流增益较低,hFE(1)为80(VCE = -5V,IC = -1A),hFE(2)为35(VCE = -5V,IC = -7A);而2SC5200N的hFE(1)为80(VCE = 5V,IC = 1A),hFE(2)为35(VCE = 5V,IC = 7A)。另一个优点是hFE和VBE均具有很高的线性度。两款器件的典型转换频率(ft)均为30 MHz。.

这些新器件采用新型 TO-3P (N) 封装,尺寸仅为 15.9 毫米 x 40.5 毫米 x 4.8 毫米。.

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