东芝采用先进的外延工艺，全新DTMOS IV-H系列超结MOSFET是高可靠性、高能效和紧凑型设计应用的理想之选。它们适用于服务器和电信基站的高效开关电源，以及光伏逆变器的电源调节器。
 
该系列器件在保持传统DTMOS IV器件低导通电阻的同时，实现了高速开关性能，且无功率损耗。这得益于栅漏寄生电容的降低（典型Ciss范围为3000至6500 pF），这也有助于提高能效并缩小产品尺寸。与传统DTMOS IV器件相比，
 
优化的栅极图案使栅漏负载降低了45%（典型Qg范围为65至135 nC）。该新产品系列具有极低的导通电阻（VGS=10V 时 RDS(ON) MAX 为 0.088 至 0.040 Ω），并且由于采用了外延制造工艺，器件在高温下导通电阻仅略有增加。电流范围为 6.8 至 30.8 A。
 
新型 DTMOS IV-H 系列目前采用 T0-247 封装，其他封装选项，包括 8x8 mm DFN、T0-220 和 T0-220SIS，即将推出。

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