该新平台上的首款高压产品是 AOS AOTL037V60DE2 600V MOSFET，旨在满足各种应用中对高效率和高功率密度的日益增长的需求，包括服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电机控制器和工业电源系统。.
中高功率开关电源（SMPS）和太阳能逆变器系统的设计挑战可归纳为四个关键要求：更高的效率、更高的功率密度、更低的系统总成本以及毫不妥协的可靠性。为了满足这些要求，高压超结MOSFET已成为关键拓扑结构的首选器件，例如图腾柱电源（PFC）的慢臂、谐振LLC变换器、功率因数校正器（PFCB）和循环变换器。.
AOS 开发的先进 αMOS E2™ 高压超结 MOSFET 平台采用固有的稳健体二极管，能够可靠地应对严苛的开关环境，例如短路或启动瞬态等异常事件期间自由体二极管的反向恢复。采用 TOLL 封装的 AOTL037V60DE2 的最大导通电阻 (RDS(ON)) 为 37 毫欧。AOS 应用工程团队的评估表明，该 αMOS E2™ MOSFET 的体二极管在特定正向电流 (IF) 条件下，于 150 °C 的结温下，能够承受 di/dt = 1300 A/µs 的电流变化。此外，AOS 的测试还证实，与同类 MOSFET 相比，AOTL037V60DE2 具有更优异的雪崩非钳位电感开关 (UIS) 能力和更长的短路保持时间 (SCWT)。这种增强的稳健性转化为更高的系统级可靠性，即使在异常运行条件下也能确保稳定的性能。.
“我们设计了这款平台和首款高压 MOSFET，旨在满足传统 AC/DC 电源、DC/DC 转换器和 DC/AC 逆变器的需求，在这些应用中，实现高功率密度和高效率仍然是一项关键挑战。凭借 AOS 在 MOSFET 工程领域丰富的经验，我们深知 αMOS E2™ 高压超结 MOSFET 平台和 AOTL037V60DE2 的创新功能能够应对这些挑战，使中高功率应用、太阳能逆变器和 DC/DC 转换器的设计人员能够有效地满足当前和未来对能效、耐用性和成本降低的需求。”AOS 高级产品线经理 Simon Yu 表示。
主要技术特性：
针对软开关拓扑结构进行了优化，具有极低的开关损耗。
坚固的体二极管，降低了Qrr值，适用于严苛的高应力应用。
增强了器件的稳健性，具有强大的UIS、浪涌电流处理能力和充足的SOA容量。
设计可防止自导通，确保在动态条件下可靠运行。
适用于图腾柱PFC、LLC、PSFB和CrCM H-4/逆变器循环应用。
供货情况及价格：
AOTL037V60DE2（600V 37mΩ TOLL）可批量生产，交货周期为16周。1000件起订，单价为5.58美元。
