更高的效率、更高的速度和更高的系统功率密度。这些器件采用独特的级联SiC FET技术，将常开型SiC JFET与硅MOSFET封装在一起，形成常关型SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，结合内置的开尔文源极连接，减少了开关损耗，从而实现了更高的工作频率和更高的系统功率密度。这些FET针对车载充电器、软件开关DC/DC转换器、电池充电和IT/服务器电源等应用进行了优化。.
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Qorvo 750V UJ4C/SC SiC FET，采用 D2PAK-7L 封装，适用于工业应用
Mouser 现已开始销售 UnitedSiC（现更名为 Qorvo®）的 UJ4C/SC FET，采用行业标准的 D2PAK-7L 表面贴装封装。UJ4C/SC 系列器件是 750V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET)，利用 D2PAK-7L 封装选项可实现低开关损耗。
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