这些模块基于 HybridPACK Drive G1 封装，在保持相同紧凑尺寸的同时，提供更高的功率密度。这些模块采用英飞凌最新一代 EDT3（Si IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET 芯片技术，可实现可扩展的性能。这些功率模块易于使用，并具备一系列先进功能，例如传感器集成选项和片上温度传感，从而降低系统成本。HybridPACK Drive G2 模块还提供多项封装改进，以提升性能并延长产品寿命。.

改进的铆钉确保了模块在整个温度范围内的稳固性，而 PinFin 底板则实现了直接冷却。这些模块在 750V 和 1200V 电压等级下功率范围高达 300kW，具有增强的导热性和高耐久性，使其成为严苛环境的理想之选。HybridPACK Drive G2 SiC 具有卓越的抗栅极氧化层和宇宙射线可靠性，与最新一代 IGBT 解决方案相比，逆变器损耗降低了三分之二。.

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