这两款新型功率 MOSFET 采用高速本征二极管，显著提升了关键的反向恢复特性，从而增强了桥式电路和逆变器的应用性能。与标准 DTMOS VI 产品相比，TK042N65Z5 和 TK095N65Z5 的反向恢复时间 (t_{_rr}) 分别缩短了 65%，达到 160 ns 和 115 ns。与东芝的标准 MOSFET 相比，新产品的反向恢复电荷 (Q_{_rr}) 降低了 88%，高温漏极截止电流降低了高达 90%（TK042N65Z5）。

此外，与东芝现有产品 TK62N60W5 相比，关键性能指标“导通漏源电阻 × 漏栅负载”(R_{_DS(ON)} × Q_{_gd}) 也降低了约 72%。这些显著的改进降低了设备的功率损耗，从而提高了效率。例如，在 1.5 kW LLC 电路中，与之前的 TK62N60W5 相比，TK042N65Z5 的电源效率提高了约 0.4%。

新款 TK042N65Z5 和 TK095N65Z5 的 (R_{_DS(ON)}) 分别为 42 mΩ 和 95 mΩ。它们能够提供高达 55 A 和 29 A 的漏极电流 (ID_D₎。这两款器件均采用小型 TO-247 封装。

基于新款 TK095N65Z5 器件的增强型 1.6 kW 服务器电源的新参考设计现已发布。东芝还提供用于开关电源的电路设计工具。除了可快速验证电路运行的 SPICE G0 模型外，现在还提供可精确再现瞬态特性的高精度 SPICE G2 模型。

除了已经发布的 650 V 和 600 V DTMOS VI 产品外，东芝将继续扩大其 DTMOS VI 产品线，推出高速二极管，以提高开关电源的效率，从而有助于节能。