通过这种方式，该系列产品开辟了新的增长机遇，并成为安全、工业和物联网等领域快速启动应用的理想之选。GD5F1GM9
系列高速 QSPI NAND 闪存采用 24nm 工艺制造。该系列产品支持 3V 和 1.8V 两种工作电压，并提供多种高速读取模式：连续读取、缓存读取和自动下一页加载。新增的连续读取和自动下一页加载模式为用户提供了更灵活的方式来快速访问代码和数据。此外，该系列产品在其 ECC（纠错码）设计中集成了一种新型并行计算系统，取代了传统的串行方式，显著缩短了集成 ECC 的处理时间。
在性能方面，该系列产品的 3V 版本在连续读取模式下速度高达 83 MB/s，最高频率为 166 MHz；而 1.8V 版本在 133 MHz 频率下速度可达 66 MB/s。这些数值比以相同频率运行的传统 SPI NAND 产品快三倍，从而可以改善数据访问、缩短系统启动时间并降低整体功耗。
出厂缺陷块的存在是NAND闪存技术固有的问题。为了解决这个问题，GD5F1GM9系列采用了坏块管理（BBM）技术。该功能确保只需一条命令即可访问整个存储阵列，因为BBM会将缺陷块的地址动态映射到有效块，并自动跳过故障块。GD5F1GM9系列的前256个块保证开箱即用，功能完备。尽管可能存在出厂缺陷块，并且在使用过程中也可能出现新的缺陷块，但BBM功能会在逻辑地址和物理地址之间建立链接，从而允许重新分配和替换问题块。该器件在BBM表中最多支持20个查找链接。
GD5F1GM9 系列提供 1 Gb 的容量，有两种工作电压可选，分别为 3 V 和 1.8 V。它有多种封装形式，包括 8 × 6 mm WSON8、6 × 5 mm WSON8 和带有 5 × 5 焊球阵列的 BGA24。
