PLTT电阻器具有宽广的工作温度范围(-55°C至+215°C),比传统薄膜片式电阻器的工作温度范围高出近100°C。该器件具有±5 ppm/°C的低温度系数(TCR)、低至±0.02%的容差、低于-35 dB的极低噪声以及0.1 ppm/V的低电压系数。PLTT电阻器的额定功率为250 mW至1000 mW,工作电压范围为100 V至200 V。.
该电阻器具有层稳定性,在 +215°C 下持续 2000 小时可达到 500 ppm 的性能,针对低噪声、单信号处理进行了优化,以补偿高温环境(例如石油和天然气勘探、电信和工业设备)中的低位移和热漂移。.
PLTT 采用高纯度陶瓷基板,10-20 微英寸镀金端子位于镍阻挡层之上,适用于高温焊接 (HMP),并采用增强型特殊钝化工艺 (SPM) 以提高耐腐蚀性。它符合 RoHS 指令 (2002/95/EC),符合 EN 61249-2-21 无卤标准,并符合 UL 94 V-0 阻燃标准。.

