该版本的软件为半导体器件的特性分析和建模设计人员提供了建模和特性分析效率方面的新进展。.
IC-CAP 2016
软件是一款器件建模程序，为当今的半导体建模流程提供强大的表征和分析功能。IC-CAP 2016 提供完整的 DynaFET 解决方案，用于对功率放大器应用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 进行建模。IC-CAP 包含测量和建模软件，可从高级设计系统 (ADS) 中提取 DynaFET，ADS 是 Keysight 自主开发的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型。
ADS DynaFET 模型的主要优势在于其能够精确预测由热效应和捕获效应引起的动态记忆效应。这使得该模型在预测增益和功率附加效率 (PAE) 方面具有前所未有的精度，而增益和 PAE 是射频功率放大器电路设计中的两个关键评价指标。专用测量软件使用 Keysight 非线性网络分析仪 (NVNA) 采集大信号数据。这些波形代表了在不同射频功率水平、偏置点和输出阻抗下测量的动态负载线，随后直接导入到 IC-CAP 2016 提取软件包中。IC-CAP 2016 使用人工神经网络技术提取模型，该模型随后可直接在 ADS 软件中使用。.
IC-CAP 2016 的另一项关键特性是提高了 Keysight E5270、B1500A 和 B1505A 仪器驱动程序的测量速度——比以前的版本快三倍。测量速度的提升有助于缩短精确测量大量数据的耗时过程。此外，IC-CAP 2016 还新增了对 Keysight E4990 阻抗分析仪和 E5061B 网络分析仪的支持。.
Keysight 的 MBP 2016 是一款综合解决方案，可为大批量、高吞吐量器件的建模提供自动化和灵活性；而 MQA 2016 则为精打细算的工程设计公司、嵌入式器件制造商和代工厂提供完整的解决方案和环境，用于验证、比较和记录 SPICE 模型库。MBP 2016 提取包已更新，支持 BSIM-IMG 行业标准的 102.6 版本。为了更好地处理广泛用于 28 纳米以下节点的全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术，Keysight 正在开发 Leti-UTSOI 模型的建模技术。.
“我们持续加大对器件建模平台的投入，重点关注效率提升和新兴技术，例如DynaFET和FD-SOI建模，”是德科技器件建模规划总监Roberto Tinti解释道。“我们的目标是帮助建模工程师在更短的时间内生成高质量的模型。我们还将继续与是德科技研究实验室和全球合作伙伴携手，为我们平台上的先进技术开发交钥匙建模解决方案。”.
MBP 2016 还新增了一个统计角点调整模块，旨在进一步提高日常建模的效率。该模块集成了自动调整或优化所需的所有组件，包括预定义的目标和图表。.
MQA 2016 改进了对高级 16nm TMI 库和混合 SPICE 语法的支持。后者至关重要，因为随着工艺节点的缩小，SPICE 模型库变得越来越复杂。此外，MQA 2016 对 64 位操作系统的支持使其能够加载和管理大型模型库及数据。.
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