ROHM Semiconductor 通过 EcoGaN™ 系列为设计人员提供广泛的 GaN 组件产品组合，以满足他们的所有需求：无论是分立式 GaN HEMT（150 V 或 650 V）、优化的栅极驱动器、其他控制器还是集成功率级器件。.
与硅 MOSFET 相比，ROHM 的 EcoGaN™ 技术可有效减少高达 90% 的元件体积和高达 55% 的功率损耗。由于 GaN 器件具有显著更高的开关能力，因此所需的被动元件数量更少。该系列产品设计易于使用：增强型（常关）GaN 器件在高效散热、低寄生电感的封装内提供一流的栅源电压（150V 级）。凭借业界最高的品质因数 (FOM)、内置静电放电保护（650V 级）和极低的漏感，EcoGaN™ 元件可实现系统小型化和降低功耗。.
在2024年PCIM国际电子器件展（6月11日至13日，德国纽伦堡）上，ROHM将在9号展厅304号展位展出其产品，届时不仅会展示EcoGaN™系列产品，还将推出其他重要产品，包括第四代SiC MOSFET、栅极驱动器和智能低侧功率器件。ROHM的功率产品旨在满足各行业不断变化的需求，并为更可持续的未来做出贡献。
